[发明专利]新型FinFET静电防护电压箝位装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201710929902.7 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107749412A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;董良威;翟明静;鲍静益;葛云飞;王玥;汤洪波 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82;H01L21/822 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 高桂珍 |
| 地址： | 213032 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型FinFET静电防护电压箝位装置及其制备方法。该装置由制作在半导体基底上的FinFET和体引出组成，体引出形态上相交于FinFET的电流通路。本发明的装置将三维沟道的下半部分引出而使得体端引出，所形成的十字形结构使得寄生双极型晶体管的基区能够被固定而不再浮空。该装置在固定寄生双极型晶体管基区电位的同时，不减弱FinFET对沟道的控制能力，降低了闩锁风险。本发明的方法，在正常的FinFET流程基础上，增加一步或者多步半ICP刻蚀的工艺流程和额外的一张或者多张掩膜版，保留数十纳米的侧边处硅作为体引出，工艺上与现有工艺具有良好的兼容性，花费很低的成本即可集成到现有工艺流程中。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 finfet 静电 防护 电压 箝位 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
新型FinFET静电防护电压箝位装置，其特征在于，包括：体引出(4)；所述新型FinFET静电防护电压箝位装置由制作在半导体基底上的FinFET和体引出(4)组成；所述FinFET包括电流通路(2)和栅端介质(3)；所述体引出(4)形态上相交于FinFET的电流通路(2)，与电流通路(2)垂直或成一角度相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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