[发明专利]一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法有效
| 申请号： | 201710897335.1 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107706154B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王瑞勇;曲连杰;杨瑞智;尤杨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法。所述存储元件的制作方法包括：提供一基板；在所述基板上制备薄膜晶体管；使用相变材料制备存储功能图形，所述存储功能图形与所述薄膜晶体管的漏电极连接。本发明的方案使薄膜晶体管具有存储功能，可作为存储元件以阵列方式集成，从而能够记录海量信息，实现了大容量存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 元件 装置 制作方法 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种存储元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上制备薄膜晶体管；使用相变材料制备存储功能图形，所述存储功能图形与所述薄膜晶体管的漏电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
