[发明专利]一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法

权利要求书

1.一种存储元件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制备薄膜晶体管；

使用相变材料制备存储功能图形，所述存储功能图形与所述薄膜晶体管的漏电极连接；

在所述基板上制备薄膜晶体管的步骤，包括：

在所述基板上制备薄膜晶体管的源电极、漏电极和覆盖所述源电极和所述漏电极的绝缘层，所述绝缘层具有露出所述漏电极的过孔；制备由相变材料形成的存储功能图形的步骤，包括：

在形成所述绝缘层后，使用相变材料制备存储功能图形，所述存储功能图形通过所述绝缘层的过孔与所述漏电极连接。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

制备绝缘层的步骤，包括：

在形成所述源电极和漏电极后，形成覆盖所述源电极和漏电极的绝缘层；

在所述绝缘层上形成第一功能层，并对第一功能层进行刻蚀，形成对应所述漏电极的第一过渡过孔；

通过气相沉积法，沉积形成第二功能层，所述第二功能层填充所述第一过渡过孔；所述第二功能层填充所述第一过渡过孔的部分的内部形成有空洞；

对所述第二功能层进行刻蚀，以保留部分形成于所述第一过渡过孔内壁的第二功能层作为刻蚀残留图形；所述刻蚀残留图形包括暴露部分所述绝缘层、并对应所述漏电极的第二过渡过孔；

以所述第一功能层和所述刻蚀残留图形为掩膜板，对所述绝缘层刻蚀，形成露出所述漏电极的过孔；

去除所述第一功能层以及所述刻蚀残留图形。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，

在所述绝缘层上形成第一功能层，并对第一功能层进行刻蚀，形成正对所述漏电极的过渡过孔的步骤，包括：

在所述绝缘层上沉积感光树脂材料，以形成第一功能层，所述第一功能层的厚度为100nm～3000nm；

对所述第一功能层进行曝光、显影，形成对应所述漏电极的第一过渡过孔，所述第一过渡过孔的孔径为1μm～3μm。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，

通过气相沉积法，沉积形成覆盖所述过渡过孔的第二功能层的步骤，包括：

在温度为100℃至300℃且真空度为1mpa～1000mPa的环境下，通过气相沉积法，以50nm/min～200nm/min的沉积速度沉积多晶硅材料，以形成厚度大于或等于200nm的第二功能层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，

对所述第二功能层进行刻蚀的步骤，包括：

使用六氟化硫气体或氯气对所述第二功能层进行干式刻蚀，形成具有亚微米级的第二过渡过孔的刻蚀残留图形。

6.一种存储元件，其特征在于，包括：

薄膜晶体管；

由相变材料形成的存储功能图形，所述存储功能图形与所述薄膜晶体管的漏电极连接；所述薄膜晶体管包括：源电极、漏电极和覆盖所述源电极和所述漏电极的绝缘层，所述绝缘层具有露出所述漏电极的过孔，所述存储功能图形位于通过所述绝缘层的过孔与所述漏电极连接。

7.根据权利要求6所述的存储元件，其特征在于，

所述过孔的孔径为亚微米级。

8.根据权利要求7所述的存储元件，其特征在于，

所述过孔在平行所述绝缘层方向上的横截面积小于或等于1μm²。

9.根据权利要求6所述的存储元件，其特征在于，

所述存储功能图形的厚度为100nm～1000nm。