[发明专利]一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法

说明书

本发明提供一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法。所述存储元件的制作方法包括：提供一基板；在所述基板上制备薄膜晶体管；使用相变材料制备存储功能图形，所述存储功能图形与所述薄膜晶体管的漏电极连接。本发明的方案使薄膜晶体管具有存储功能，可作为存储元件以阵列方式集成，从而能够记录海量信息，实现了大容量存储。

技术领域

本发明涉及存储元件领域，特别是一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法。

背景技术

目前应用在基板上的存储元件主要是基于硅片制备的独立结构，因此制作成本较高且制作工艺复杂，无法以阵列方式进行集成控制。此外，这一类存储元件需要较高的能耗，特别是在执行数据的读、写、擦时，需要较高的驱动电流。

有鉴于此，当前亟需一种全新方案，能够解决上述现有存储元件的一系列问题。

发明内容

本发明的目的是解决提供一种存储元件、存储装置、制作方法及驱动方法，能够以阵列方式海量集成存储元件，实现大容量的存储。

为实现上述目的，一方面，本发明的实施例提供一种存储元件的制作方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上制备薄膜晶体管；

使用相变材料制备存储功能图形，所述存储功能图形与所述薄膜晶体管的漏电极连接。

其中，在所述基板上制备薄膜晶体管的步骤，包括：

在所述基板上制备薄膜晶体管的源电极、漏电极和覆盖所述源电极和所述漏电极的绝缘层，所述绝缘层具有露出所述漏电极的过孔；

制备由相变材料形成的存储功能图形的步骤，包括：

在形成所述绝缘层后，使用相变材料制备存储功能图形，所述存储功能图形通过所述绝缘层的过孔与所述漏电极连接。

其中，制备绝缘层的步骤包括：

在形成所述源电极和漏电极后，形成覆盖所述源电极和漏电极的绝缘层；

在所述绝缘层上形成第一功能层，并对第一功能层进行刻蚀，形成对应所述漏电极的第一过渡过孔；

通过气相沉积法，沉积形成第二功能层，所述第二功能层填充所述第一过渡过孔；所述第二功能层填充所述第一过渡过孔的部分的内部形成有空洞；

对所述第二功能层进行刻蚀，以保留部分形成于所述第一过渡过孔内壁的第二功能层作为刻蚀残留图形；所述刻蚀残留图形包括暴露部分所述绝缘层、并对应所述漏电极的第二过渡过孔；

以所述第一功能层和所述刻蚀残留图形为掩膜板，对所述绝缘层刻蚀，形成露出所述漏电极的亚微米级的过孔；

去除所述第一功能层以及所述刻蚀残留图形；

其中，在所述绝缘层上形成第一功能层，并对第一功能层进行刻蚀，形成正对所述漏电极的过渡过孔的步骤，包括：

在所述绝缘层上沉积感光树脂材料，以形成第一功能层，所述第一功能层的厚度为100nm～3000nm；

对所述第一功能层进行曝光、显影，形成正对所述漏电极的过渡过孔，所述过渡过孔的孔径为1μm～3μm。

其中，通过气相沉积法，沉积形成覆盖所述过渡过孔的第二功能层的步骤，包括：

在温度为100℃至300℃且真空度为1mpa～1000mPa的环境下，通过气相沉积法，以50nm/min～200nm/min的沉积速度沉积多晶硅材料，以形成厚度大于或等于200nm的第二功能层。

其中，对所述第二功能层进行刻蚀的步骤，包括：