[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710888719.7 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109560123B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 川口博子;鹿内洋志;熊仓弘道;工藤真二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/32 | 分类号： | H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一传导类型；第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二传导类型；其中，所述第一半导体区域配置在所述第二半导体区域内，在所述第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且所述第一半导体区域的至少一部分被所述多个晶体缺陷围绕。
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