[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710888719.7 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109560123B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 川口博子;鹿内洋志;熊仓弘道;工藤真二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/32 | 分类号： | H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一传导类型；
第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二传导类型；
其中，所述第一半导体区域配置在所述第二半导体区域内，在所述第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且所述第一半导体区域的至少一部分被所述多个晶体缺陷围绕，
所述多个晶体缺陷在所述第二半导体区域的一个或多个侧部以及下部中形成，
所述晶体缺陷在所述侧部的浓度低于所述晶体缺陷在所述下部的浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一传导类型是p掺杂类型，所述第二传导类型是n掺杂类型，并且在所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间形成p-n结。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个或多个侧部与所述第一半导体区域的一个或多个侧表面接触，并且所述下部与所述第一半导体区域的下表面接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体缺陷在所述侧部的浓度与所述晶体缺陷在所述下部的浓度之比为从1:2至1:6。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述晶体缺陷在所述侧部的浓度与所述晶体缺陷在所述下部的浓度之比为1:4。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，两个或以上第一半导体区域配置在所述第二半导体区域内；
在所述第二半导体区域中针对每个所述第一半导体区域形成有多个晶体缺陷，并且每个所述第一半导体区域被所述多个晶体缺陷围绕。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：
基板，所述第二半导体区域配置在所述基板上；和/或
电极，所述电极配置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域上。
8.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
设置第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一传导类型；
设置第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二传导类型；其中，所述第一半导体区域配置在所述第二半导体区域内；
在所述第二半导体区域的一个或多个侧部以及下部中形成多个晶体缺陷，所述晶体缺陷在所述侧部的浓度低于所述晶体缺陷在所述下部的浓度；其中，所述第一半导体区域的至少一部分被所述多个晶体缺陷围绕。
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