[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括：提供一基板；在所述基板表面沉积栅极金属；在所述栅极金属表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层表面形成第一金属层；在所述第一金属层表面沉积光阻层，然后采用光罩所述第一金属层实施光罩制程以形成第二金属层，所述第二金属层中设有沟道；其中，所述光罩垂直于所述第二金属层沟道的部分突出于所述第二金属层设计。本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，通过使得所述光罩垂直于所述第二金属层沟道的部分突出于所述第二金属层，以避免由于所述IGZO层的多次蚀刻导致所述IGZO层中沟道损失过大的问题，进而提升所述TFT阵列基板生产的成品率。

主权项

一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT阵列基板的制作方法包括如下步骤：步骤S10、提供一基板；步骤S20、在所述基板表面沉积栅极金属；步骤S30、在所述栅极金属表面形成绝缘层；步骤S40、在所述绝缘层表面形成金属氧化物层；步骤S50、在所述金属氧化物层表面形成第一金属层；步骤S60、在所述第一金属层表面沉积光阻层，然后采用光罩所述第一金属层实施光罩制程以形成第二金属层，所述第二金属层中设有沟道；其中，所述光罩垂直于所述第二金属层沟道的部分突出于所述第二金属层。