[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括：提供一基板；在所述基板表面沉积栅极金属；在所述栅极金属表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层表面形成第一金属层；在所述第一金属层表面沉积光阻层，然后采用光罩所述第一金属层实施光罩制程以形成第二金属层，所述第二金属层中设有沟道；其中，所述光罩垂直于所述第二金属层沟道的部分突出于所述第二金属层设计。本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，通过使得所述光罩垂直于所述第二金属层沟道的部分突出于所述第二金属层，以避免由于所述IGZO层的多次蚀刻导致所述IGZO层中沟道损失过大的问题，进而提升所述TFT阵列基板生产的成品率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种TFT阵列基板制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquid crystal display，简称TFT-LCD)是当前应用最为广泛的平板显示器，随着制造液晶面板的技术日趋成熟与先进，简化生产工艺，缩短制程时间，提高制程效率是降低生产成本以在行业剧烈竞争中得以生存的重要途径。

IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，其具有高迁移率，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，具有高开态电流、低关态电流可以迅速开关，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。

如图1所示，在传统的IGZO 4 MASK制程中，由于采用半色调光罩101，即源漏极金属层205和IGZO层204在同一道曝光，之后需要经过2次或者3次酸的刻蚀，使TFT得沟道206显现出来；由于经过多次酸刻，因此对源漏极金属层30和IGZO层204的蚀刻损失较大。

发明内容

本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法，以避免由于所述IGZO层的多次蚀刻导致所述IGZO层中沟道损失过大的问题，进而提升所述TFT阵列基板生产的成品率。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法，所述TFT阵列基板的制作方法包括如下步骤：

步骤S10、提供一基板；

步骤S20、在所述基板表面沉积栅极金属；

步骤S30、在所述栅极金属表面形成绝缘层；

步骤S40、在所述绝缘层表面形成金属氧化物层；

步骤S50、在所述金属氧化物层表面形成第一金属层；

步骤S60、在所述第一金属层表面沉积光阻层，然后采用光罩所述第一金属层实施光罩制程以形成第二金属层，所述第二金属层中设有沟道；

其中，所述光罩垂直于所述第二金属层沟道的部分突出于所述第二金属层。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S60中采用的光罩为半色调光罩。

根据本发明一优选实施例，所述第二金属层为源漏极金属层。

根据本发明一优选实施例，所述金属氧化物层为铟镓锌氧化物层。

根据本发明一优选实施例，所述半色调光罩直于所述第二金属层沟道的部分突出于所述第二金属层至少1微米。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属层的单边长度比所述第二金属层的单边长度长1微米～3微米。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S60还包括：采用所述半色调光罩对所述铟镓锌氧化物层实施光罩制程。