[发明专利]TFT阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201710885982.0 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107706195B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 | ||
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT阵列基板的制作方法包括如下步骤：
步骤S10、提供一基板；
步骤S20、在所述基板表面沉积栅极金属；
步骤S30、在所述栅极金属表面形成绝缘层；
步骤S40、在所述绝缘层表面形成金属氧化物层；
步骤S50、在所述金属氧化物层表面形成第一金属层；
步骤S60、在所述第一金属层表面沉积光阻层，然后采用光罩所述第一金属层实施光罩制程以形成第二金属层，所述第二金属层中设有沟道；
其中，所述光罩的开口在所述第二金属层的正投影突出于所述第二金属层的沟道至少1微米。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S60中采用的光罩为半色调光罩。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层为源漏极金属层。
4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物层为铟镓锌氧化物层。
5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S60还包括：采用所述半色调光罩对所述铟镓锌氧化物层实施光罩制程。
6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，先对所述源漏极金属层实施光罩制程，然后再对铟镓锌氧化物层实施光罩制程。
7.根据权利要求5所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，同时对所述源漏极金属层和所述铟镓锌氧化物层实施光罩制程。
8.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT阵列基板的制作方法还包括步骤S70：
采用所述光罩对所述第二金属层实施光罩制程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
