[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法有效
申请号: | 201710879694.4 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN109390339B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 竹迫寿晃;真锅和孝 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法,所述动态随机存取存储器包括衬底、隔离结构、埋入式字线结构以及多个第一鳍型结构。隔离结构位于所述衬底中,定义出沿第一方向排列成一列的多个主动区域。所述埋入式字线结构位于衬底内,沿第一方向延伸,跨过多个主动区域和隔离结构。所述多个第一鳍型结构,位于多个主动区域与埋入式字线结构相交的区域中,沿第一方向排列成一列,并被所述埋入式字线结构环绕包覆。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种动态随机存取存储器,包括:衬底;隔离结构,位于所述衬底中,所述隔离结构定义出多个主动区域,其沿第一方向排列成一列;埋入式字线结构,位于所述衬底内,沿所述第一方向延伸,跨过所述多个主动区域和所述隔离结构;以及多个第一鳍型结构,位于所述主动区域与所述埋入式字线结构相交的区域中,沿所述第一方向排列成一列,并被所述埋入式字线结构环绕包覆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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