[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，所述动态随机存取存储器包括衬底、隔离结构、埋入式字线结构以及多个第一鳍型结构。隔离结构位于所述衬底中，定义出沿第一方向排列成一列的多个主动区域。所述埋入式字线结构位于衬底内，沿第一方向延伸，跨过多个主动区域和隔离结构。所述多个第一鳍型结构，位于多个主动区域与埋入式字线结构相交的区域中，沿第一方向排列成一列，并被所述埋入式字线结构环绕包覆。

技术领域

本发明涉及一种动态随机存取存储器及其制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器的效能直接影响其产量及其相关规格，例如写入恢复时间(write recovery time,tWR)以及刷新效能(refresh performance)。然而随着动态随机存取存储器设计的尺寸不断缩小，半导体装置不断的往高集成度发展，动态随机存取存储器的效能也随之降低。因此如何维持或提升动态随机存取存储器的效能成为本领域亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器，其具有鳍型结构和埋入式栅极结构，可提高动态随机存取存储器的效能。

本发明提供一种动态随机存取存储器，其包括衬底、隔离结构、埋入式字线结构和多个第一鳍型结构。隔离结构位于所述衬底中，在所述衬底中定义出沿第一方向排列成一列的多个主动区域。所述埋入式字线结构位于衬底内，沿第一方向延伸，跨过所述多个主动区域和所述隔离结构。所述多个第一鳍型结构，位于主动区域与所述埋入式字线结构相交的区域中，沿第一方向排列成一列，并被所述埋入式字线结构环绕包覆。

本发明提供一种动态随机存取存储器，其包括衬底、第一埋入式栅极结构以及介电材料层。所述衬底中具有第一字线隧道。所述第一埋入式栅极结构位于第一字线隧道上方的衬底中，其侧壁和底面被衬底包覆，其顶面被介电层包覆。所述介电材料层至少覆盖第一字线隧道的表面。

本发明提供一种动态随机存取存储器的制造方法，其包括：提供衬底，移除部分所述衬底，以使衬底包括凸部与凹部。保护凸部的第一凸出部，移除第一凸出部下方的第二凸出部，以在衬底中形成第一字线隧道。移除部分第一凸出部，以形成栅极沟渠与第一鳍型结构。形成第一埋入式栅极结构于栅极沟渠中，其中形成第一埋入式栅极结构包括形成栅介电层与导体层。

基于以上所述，本发明的动态随机存取存储器具有鳍型结构和埋入式栅极结构或绝缘结构。由于鳍型结构被埋入式字线结构环绕，因此可提升切换效能，降低其阈值电压，有利于提高刷新效能。在一些实施例中，埋入式栅极结构被衬底环绕，可降低通道电阻，提高本发明的动态随机存取存储器在写入恢复时间方面的效能。在另一些实施例中，鳍型结构与衬底之间被绝缘结构隔开，使得鳍型结构可以产生较低的耗尽层电容(lowerdepletion layer capacitance)，从而有效提高元件的效能。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1至图3为根据本发明的动态随机存取存储器的制造方法流程的俯视图。

图4A至图4J为根据本发明的第一实施例的动态随机存取存储器的制造方法流程图，其为图1至图3中A-A’线段的剖面示意图。

图5A至图5J为根据本发明的第一实施例的动态随机存取存储器的制造方法流程图，其为图1至图3中B-B’线段的剖面示意图。

图6A至图6I为根据本发明的第一实施例的动态随机存取存储器的制造方法流程图，其为图1至图3中C-C’线段的剖面示意图。

图7A至图7D为根据本发明的第二实施例的动态随机存取存储器的制造方法流程图，其为图3中A-A’线段的剖面示意图。

图8A至图8D为根据本发明的第二实施例的动态随机存取存储器的制造方法流程图，其为图3中B-B’线段的剖面示意图。