[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，包括：

衬底；

隔离结构，位于所述衬底中，所述隔离结构定义出多个主动区域，其沿第一方向排列成一列；

埋入式字线结构，位于所述衬底内，沿所述第一方向延伸，跨过所述多个主动区域和所述隔离结构；以及

多个第一鳍型结构，位于所述主动区域与所述埋入式字线结构相交的区域中，沿所述第一方向排列成一列，并被所述埋入式字线结构环绕包覆，

其中所述第一鳍型结构的底部与所述衬底分隔开，且所述隔离结构未延伸至所述第一鳍型结构的所述底部与所述衬底之间，

其中栅介电层位于所述第一鳍型结构下方的所述衬底的凸部上，且与所述凸部接触。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述埋入式字线结构包括导体层，所述多个第一鳍型结构被所述导体层环绕包覆，且所述埋入式字线结构的位于所述多个主动区域上方的顶面与位于所述隔离结构上方的顶面是共平面的。

3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其中所述埋入式字线结构还包括多个绝缘结构，位于所述多个第一鳍型结构和所述衬底之间。

4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器，其中所述埋入式字线结构的所述导体层覆盖所述多个第一鳍型结构的表面和侧壁以及所述多个绝缘结构的侧壁。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括多个第二鳍型结构，位于所述多个第一鳍型结构下方，所述多个第一鳍型结构和所述多个第二鳍型结构均位于所述埋入式字线结构中，被所述埋入式字线结构环绕包覆。

6.一种动态随机存取存储器，包括：

衬底，所述衬底中具有第一字线隧道；

隔离结构，位于所述衬底中，所述隔离结构定义出多个主动区域，其沿第一方向排列成一列；

第一埋入式栅极结构，位于所述第一字线隧道上方的所述衬底中，所述第一埋入式栅极结构的侧壁和底面被所述衬底包覆，所述第一埋入式栅极结构的顶面被介电层包覆；

多个第一鳍型结构，位于所述主动区域与所述第一埋入式栅极结构相交的区域中，沿所述第一方向排列成一列，并被所述第一埋入式栅极结构环绕包覆；以及

介电材料层，至少覆盖所述第一字线隧道的表面，

其中所述隔离结构未延伸至所述第一埋入式栅极结构下方的所述介电材料层与所述衬底之间，

其中所述介电材料层为栅介电层，所述栅介电层的一部分位于所述第一鳍型结构下方的所述衬底的凸部上，且与所述凸部接触。

7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器，还包括导体层位于所述第一字线隧道中，且所述栅介电层的一部分与所述导体层共同组成第二埋入式栅极结构。

8.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器，其中所述介电材料层填满所述第一字线隧道，作为绝缘结构，且其中所述第一埋入式栅极结构还包括导体层，所述栅介电层还覆盖所述第一鳍型结构的上表面与下表面，所述导体层覆盖所述栅介电层且位于所述隔离结构上方，且所述导体层的位于所述第一鳍型结构上方的顶面与位于所述隔离结构上方的顶面是共平面的。

9.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器，在所述衬底中还具有第二字线隧道，位于所述第一字线隧道下方，且所述第二字线隧道和所述第一字线隧道彼此不相通。

10.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器，还包括第三埋入式栅极结构，位于所述第二字线隧道中，被所述衬底环绕包覆，并且在所述衬底中，所述第一埋入式栅极结构、所述第二埋入式栅极结构以及所述第三埋入式栅极结构自上而下排列。