[发明专利]一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法在审
| 申请号： | 201710878510.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107857272A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张桂芳;杨印东;史本慧;施哲;李想;高磊;严鹏;褚绍阳;王晓亮 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C21C7/064 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法，属于精炼技术领域。在真空条件下，首先将硅铁或者冶金硅置于悬浮设备中预热到1300~2500℃形成熔滴；同时通入氢气‑氩气混合气体，控制输入电流为300~400A、频率为150kHz~400kHz以及输入功率范围为3000~4500W，将熔滴悬浮5~40分钟，每次悬浮时间间隔至少5分钟，获得脱磷硅铁或者冶金硅。本方法使硅铁合金中的磷元素降低到一个更低的标准，且没有坩埚壁的二次污染，具体是在电磁场作用下使试样悬浮，同时采用氢气‑氩气混合气体，从而在降低生产成本和提高效率等方面均有着重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 或者 冶金 硅脱磷 方法 | ||
【主权项】：
一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法，其特征在于具体步骤如下：在真空条件下，首先将硅铁或者冶金硅置于悬浮设备中预热到1300~2500℃形成熔滴；同时通入氢气‑氩气混合气体，控制输入电流为300~400A、频率为150kHz~400kHz以及输入功率范围为3000~4500W，将熔滴悬浮5~40分钟，每次悬浮时间间隔至少5分钟，获得脱磷硅铁或者冶金硅。
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