[发明专利]一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法在审

专利信息
申请号: 201710878510.2 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107857272A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 张桂芳;杨印东;史本慧;施哲;李想;高磊;严鹏;褚绍阳;王晓亮 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C21C7/064
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 或者 冶金 硅脱磷 方法
【权利要求书】:

1.一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法,其特征在于具体步骤如下:在真空条件下,首先将硅铁或者冶金硅置于悬浮设备中预热到1300~2500℃形成熔滴;同时通入氢气-氩气混合气体,控制输入电流为300~400A、频率为150kHz~400kHz以及输入功率范围为3000~4500W,将熔滴悬浮5~40分钟,每次悬浮时间间隔至少5分钟,获得脱磷硅铁或者冶金硅。

2.根据权利要求1所述的硅铁或者冶金硅脱磷的方法,其特征在于:所述硅铁中硅含量为65~85wt%,磷含量为0.0500~0.0060wt%。

3.根据权利要求1所述的硅铁或者冶金硅脱磷的方法,其特征在于:所述冶金硅中硅含量为98~99wt%,磷含量为0.0020~0.0050wt%。

4.根据权利要求1所述的硅铁或者冶金硅脱磷的方法,其特征在于:所述氢气-氩气混合气体中氢气体积含量为0至100%,氢气-氩气混合气体的流量为0.25~1.2L/min。

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