[发明专利]一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710875873.0 申请日: 2017-09-25
公开(公告)号: CN107675260B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 余超;吴欣欣;祝洪喜;邓承继;丁军 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C30B29/62 分类号: C30B29/62;C30B29/36;C30B29/40;C30B1/10
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明具体涉及一种AlN‑SiC固溶体晶须及其制备方法。其技术方案是:按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶(0.005~0.05),将Al4SiC4粉料和纳米镍粉混合,在5~50MPa条件下压制成型;将成型后的坯体装入石墨坩埚内,置于管式刚玉炉中,在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min,以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃,自然冷却,制得AlN‑SiC固溶体晶须。所述AlN‑SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%,粒度≤150μm。本发明工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀,制备的AlN‑SiC固溶体晶须导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越,适合工业化生产及推广应用。
搜索关键词: 一种 aln sic 固溶体 及其 制备 方法
【主权项】:
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