[发明专利]一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法有效
| 申请号: | 201710875873.0 | 申请日: | 2017-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN107675260B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
| 发明(设计)人: | 余超;吴欣欣;祝洪喜;邓承继;丁军 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
| 主分类号: | C30B29/62 | 分类号: | C30B29/62;C30B29/36;C30B29/40;C30B1/10 |
| 代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
| 地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 aln sic 固溶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种AlN-SiC固溶体晶须的制备方法,其特征在于所述制备方法是:
步骤一、按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶(0.005~0.05),将所述Al4SiC4粉料和所述纳米镍粉混合,即得混合粉;
步骤二、将所述混合粉在5~50MPa条件下压制成型,再将成型后的坯体装入石墨坩埚内;
步骤三、将所述石墨坩埚置于管式刚玉炉中,在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min,再以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃,然后自然冷却至室温,制得AlN-SiC固溶体晶须;
所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%,粒度≤150μm。
2.按照权利要求1所述AlN-SiC固溶体晶须的制备方法,其特征在于所述氮气的纯度≥98Vol%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710875873.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





