[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710867772.9 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107658345B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘晓伟;刘勃;王洋;李梁梁;刘正;吴洪江;袁剑峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。在本发明提供的氧化物薄膜晶体管制备方法中，通过在形成源极和漏极的构图工艺中，对源极和漏极之间的第一金属层进行氧化处理，形成沟道保护层。使得在构图工艺次数较少的前提下，便可以形成对沟道起到有效保护作用的沟道保护层，有效提升了氧化物薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，以及位于所述基板上的栅极、栅极绝缘层和有源层；覆盖在所述有源层上的源极、漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道保护层；其中，所述源极和所述漏极均包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与所述沟道保护层同层设置在所述有源层上，且所述沟道保护层由所述第一金属层的金属氧化形成。
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