[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710867772.9 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107658345B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘晓伟;刘勃;王洋;李梁梁;刘正;吴洪江;袁剑峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成栅极、栅极绝缘层和有源层；
在所述有源层上依次形成第一金属层和第二金属层；
在所述第二金属层上通过构图工艺，形成源极和漏极；并在所述构图工艺中对所述源极和所述漏极之间的第一金属层进行氧化处理，形成沟道保护层，沟道保护层为非导电的氧化层；
所述第一金属层的材质为铝，所述沟道保护层的材质为铝的氧化物；
所述在所述第二金属层上通过构图工艺，形成源极和漏极；并在所述构图工艺中对所述源极和所述漏极之间的第一金属层进行氧化处理形成沟道保护层，包括：
采用刻蚀液对所述第二金属层进行刻蚀形成所述源极和所述漏极，并利用所述刻蚀液对所述源极和所述漏极之间的第一金属层进行氧化处理，形成沟道保护层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述第二金属层的材质为铜，所述刻蚀液为双氧水。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成沟道保护层之后，还包括：
在所述源极、所述漏极以及所述沟道保护层表面形成钝化层。
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