[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710861010.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107437567A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 毛光;解磊;代刚;钟乐;彭勇;吕秋叶;杨任花;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括硅底层、埋氧层和硅顶层，通过光刻在埋氧层上并在硅顶层侧面，进行离子注入等形成P+层，然后P+层上生长形成有氧化层，氧化层上分别生长硅层，用于形成漏极和源极；本发明在源、漏两端加入氧化层和P+层，从而使源、漏两端与BOX层隔离；那么即使BOX中累积的正电荷达到一定程度，由于源、漏两端被隔离，漏电通道也形成不了，从而有效杜绝了背栅漏电；源、漏两端的P+作为体引出，不仅有效抑制了部分耗尽型SOI器件的浮体效应，而且也降低了器件的体接触电阻；这种对称性结构给电路设计带来了很大的方便；同时，本发明没有引入新的寄生晶体管，性能大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：从下至上包括作为支撑层的硅底层（1）和作为绝缘层的埋氧层（2），埋氧层（2）上包括有作为有源层的硅顶层（3）和P+层（5），P+层（5）在硅顶层（3）的侧面，P+层（5）上生长形成有氧化层（6），氧化层（6）上分别生长形成源极（7）和漏极（8）。
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