[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：从下至上包括作为支撑层的硅底层（1）和作为绝缘层的埋氧层（2），埋氧层（2）上包括有作为有源层的硅顶层（3）和P+层（5），P+层（5）在硅顶层（3）的侧面，P+层（5）上生长形成有氧化层（6），氧化层（6）上分别生长形成源极（7）和漏极（8）。

2.制造权利要求1所述金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，其特征在于制备步骤如下：

（a）准备一绝缘体，该绝缘体上硅的结构包括：硅底层（1）、埋氧层（2）和硅顶层（3）；所述硅顶层（3）作为半导体器件的制作区域；所述埋氧层（2）用于隔离硅顶层（3）和硅底层（1）之间的电气连接；所述硅底层（1）为埋氧层（2）和硅顶层（3）提供机械支撑；

（b）在硅顶层（3）上生长一层硅的氮化物为栅极占位；

（c）利用掩模板和光刻胶技术，对上述步骤（b）中的结构进行光刻，通过控制光刻离子的能量和光刻时间确定光刻的深度，从而光刻掉埋氧层（2）上位于外沿部分的硅顶层（3）和上面对应的碳化物，使得位于埋氧层（2）上侧面的硅顶层（3）形成待形成P+的区域（4）；

（d）然后对所述待形成P+的区域（4）进行离子注入；注入的离子与P型有源区摻杂的离子相同，从而形成P+层（5）；

（e）通过干氧法或者湿氧法在P+层（5）上生长一层氧化层（6），该氧化层（6）可以为二氧化硅薄膜；

（f）通过外延生长技术步骤（e）形成的氧化层（6）上生长出源、漏两端的硅层；

（g）最后对外延生长的硅层进行离子摻杂形成源极（7）和漏极（8），最终形成quasi-double SOI 结构。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：步骤（c）中所述待形成P+的区域（4）的厚度为d1，1纳米＜d1＜10纳米。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：步骤（d）中注入离子的浓度大于有源区离子浓度1~2个数量级。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：步骤（e）中所述氧化层（6）的厚度为d2，1纳米＜d2＜10纳米。