[发明专利]静态随机存取存储元件

摘要

本发明公开一种静态随机存取存储元件。此静态随机存取存储元件是由存储单元中两个作为载入晶体管的P通道栅极、两个作为驱动晶体管的N通道栅极、以及两个作为存取晶体管的N通道栅极所组成。作为存取晶体管的N通道栅极附近会设置一虚置栅极，该两者间隔有一位线节点，其中该虚置栅极是经由一金属层电连接到一接地电压。

主权项

1.一种静态随机存取存储元件，包含：基底；存储单元，位于该基底上，其中该存储单元包含两个作为载入晶体管的P通道栅极、两个作为驱动晶体管的N通道栅极、以及两个作为存取晶体管的N通道栅极；至少一虚置栅极，位于该基底上并邻近该作为存取晶体管的N通道栅极，其中该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极跨过一主动区域；位线节点，位于该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极之间，其中该位线节点电连接至该主动区域；以及金属层，电连接至该虚置栅极，其中该虚置栅极经由该金属层电连接至一接地电压。