[发明专利]静态随机存取存储元件

权利要求书

1.一种静态随机存取存储元件，包含：

基底；

存储单元，位于该基底上，其中该存储单元包含两个作为载入晶体管的P通道栅极、两个作为驱动晶体管的N通道栅极、以及两个作为存取晶体管的N通道栅极；

至少一虚置栅极，位于该基底上并邻近该作为存取晶体管的N通道栅极，其中该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极跨过同一主动区域；

位线节点，位于该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极之间，其中该位线节点电连接至该主动区域；以及

金属层，电连接至该虚置栅极，其中该虚置栅极经由该金属层电连接至一接地电压。

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储元件，还包含第一导体图形与第二导体图形，分别位于该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极上，其中该第一导体图形与第二导体图形是以该位线节点为中心对称。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储元件，还包含导孔，电连接该第一导体图形与该金属层。

4.如权利要求1所述的静态随机存取存储元件，其中该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极是以该位线节点为中心对称。

5.如权利要求1所述的静态随机存取存储元件，还包含虚置位线节点，该虚置位线节点与该位线节点以该虚置栅极为中心对称，其中该虚置位线节点电连接至该主动区域。

6.如权利要求5所述的静态随机存取存储元件，其中该虚置栅极以及该虚置位线节点位于邻近该存储单元的一虚置单元中。

7.如权利要求1所述的静态随机存取存储元件，其中该作为存取晶体管的N通道栅极电连接至一字符线。

8.如权利要求1所述的静态随机存取存储元件，其中该作为载入晶体管的P通道栅极是一拉升栅(pull-up gate)，该作为驱动晶体管的N通道栅极是一拉降栅(pull-down gate)，该作为存取晶体管的N通道栅极是一传送栅(pass gate)。

9.一种静态随机存取存储元件，包含：

基底；

存储单元，位于该基底上，其中该存储单元包含两个作为载入晶体管的P通道栅极、两个作为驱动晶体管的N通道栅极、以及两个作为存取晶体管的N通道栅极；

至少一虚置栅极，位于该基底上并邻近该作为存取晶体管的N通道栅极，其中该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极跨过同一主动区域；

位线节点，位于该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极之间，其中该位线节点电连接至该主动区域；

接载(pick-up)阱区，位于该基底上且邻近该虚置栅极；以及

接载电力线，电连接至该接载阱区，其中该接载电力线延伸到该虚置栅极上并与该虚置栅极电连接，且该虚置栅极经由该接载电力线电连接至一接地电压。

10.如权利要求9所述的静态随机存取存储元件，其中该接载阱区是一P型阱区域。

11.如权利要求10所述的静态随机存取存储元件，还包含第一导体图形与第二导体图形，分别位于该虚置栅极与该作为存取晶体管的N通道栅极上，其中该第一导体图形与第二导体图形是以该位线节点为中心对称。

12.如权利要求11所述的静态随机存取存储元件，还包含导孔，电连接该第一导体图形与该接载电力线。