[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括下列步骤。在衬底上依序形成第一导电层、第一氧化层以及硬遮罩层。图案化硬遮罩层与第一氧化层，以形成包括硬遮罩图案与第一氧化图案的堆叠结构。进行氧化制程，以于堆叠结构与第一导电层的表面形成第二氧化层，且第一导电层的邻近堆叠结构的侧壁的区域经氧化而形成延伸氧化图案。移除第二氧化层。以堆叠结构为遮罩移除被暴露出的第一导电层及其下方的衬底，以形成第一导电结构，且在衬底中形成凹陷。移除堆叠结构。移除延伸氧化图案。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上依序形成第一导电层、第一氧化层以及硬遮罩层；图案化所述硬遮罩层与所述第一氧化层，以形成包括硬遮罩图案与第一氧化图案的堆叠结构；进行氧化制程，以于所述堆叠结构与所述第一导电层的表面形成第二氧化层，且所述第一导电层的邻近所述堆叠结构的侧壁的区域经氧化而形成延伸氧化图案；移除所述第二氧化层；以所述堆叠结构为遮罩移除被暴露出的所述第一导电层及其下方的衬底，以形成第一导电结构，且在所述衬底中形成凹陷；移除所述堆叠结构；以及移除所述延伸氧化图案。