[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上依序形成第一导电层、第一氧化层以及硬遮罩层；

图案化所述硬遮罩层与所述第一氧化层，以形成包括硬遮罩图案与第一氧化图案的堆叠结构；

进行氧化制程，以于所述堆叠结构与所述第一导电层的部分表面形成第二氧化层，且所述第一导电层的邻近所述堆叠结构的侧壁的区域经氧化而形成延伸氧化图案；

移除所述第二氧化层；

以所述堆叠结构为遮罩移除被暴露出的所述第一导电层及其下方的衬底，以形成第一导电结构，且在所述衬底中形成凹陷；

移除所述堆叠结构；以及

移除所述延伸氧化图案。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述延伸氧化图案的厚度沿着远离所述堆叠结构的侧壁的方向递减。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述延伸氧化图案与所述第一导电层之间的界面为斜面或弧面。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述氧化制程包括临场蒸气产生法。

5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述临场蒸气产生法的操作时间范围为1s至10s。

6.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述临场蒸气产生法的操作温度范围为900℃至1200℃，且所述临场蒸气产生法的氢氧比的范围为0.30至0.35。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在依序形成所述第一导电层、所述第一氧化层以及所述硬遮罩层的步骤之前，所述半导体元件的制造方法还包括于所述衬底上形成第一介电层。

8.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述硬遮罩层为多层结构。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在移除所述堆叠结构与所述延伸氧化图案的步骤之前，所述半导体元件的制造方法还包括在所述衬底的凹陷中及其上方的所述第一导电结构的两侧形成隔离材料层。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在移除所述堆叠结构与所述延伸氧化图案的步骤中，所述半导体元件的制造方法还包括移除部分的所述隔离材料层以形成隔离结构，其中所述隔离结构的顶面低于所述第一导电结构的顶面。

11.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括于所述第一导电结构与所述隔离结构的上方依序形成第二介电层与第二导电层。