[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。在具有通道的前端结构上形成绝缘层，通道中形成渠道沉积物，刻蚀绝缘层形成接触窗，接触窗暴露出渠道沉积物，接触窗靠近渠道沉积物的一端的尺寸小于接触窗远离渠道沉积物的一端的尺寸，在接触窗中形成后端金属层。相比现有技术，本发明中缩小了通道的深度，同时通过设置接触窗弥补了通道缩小的尺寸，由此使得位于通道中的渠道沉积物的高度变低，降低了工艺难度，避免渠道沉积物中空隙的形成，降低了渠道沉积物阻值。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一前端结构，所述前端结构包括一介质层，所述介质层中形成有若干贯穿所述介质层的通道，所述前端结构还包括电容结构，所述介质层上表面不高于所述电容结构的上极板；在所述通道中形成渠道沉积物；在形成有渠道沉积物的前端结构上形成一层刻蚀停止层，所述刻蚀停止层形成于由所述电容结构的所述上极板的上表面及所述介质层的上表面组成的整平连续面上；在所述前端结构上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层形成接触窗，所述接触窗具有底部延伸孔，暴露出所述渠道沉积物的至少部分区域，所述接触窗还暴露出所述电容结构的上极板，所述接触窗的所述底部延伸孔的尺寸小于所述接触窗远离所述渠道沉积物的顶开口尺寸；以及在所述接触窗中形成后端金属层。