[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一前端结构，所述前端结构包括一介质层，所述介质层中形成有若干贯穿所述介质层的通道，所述前端结构还包括电容结构，所述介质层上表面不高于所述电容结构的上极板；

在所述通道中形成渠道沉积物；

在形成有渠道沉积物的前端结构上形成一层刻蚀停止层，所述刻蚀停止层形成于由所述电容结构的所述上极板的上表面及所述介质层的上表面组成的整平连续面上；

在所述前端结构上形成绝缘层；

刻蚀所述绝缘层形成接触窗，所述接触窗具有底部延伸孔，暴露出所述渠道沉积物的至少部分区域，所述接触窗还暴露出所述电容结构的上极板，所述接触窗的所述底部延伸孔的尺寸小于所述接触窗远离所述渠道沉积物的顶开口尺寸；以及

在所述接触窗中形成后端金属层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述通道中形成渠道沉积物的步骤包括：

在所述前端结构上沉积连接材料层，所述连接材料层包含所述渠道沉积物，以填充满所述通道；以及

研磨所述渠道沉积物材料层至暴露出所述电容结构和所述介质层，以形成所述渠道沉积物。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述绝缘层形成接触窗的步骤包括：

在所述绝缘层上和所述接触窗中形成掩膜层；

所述掩膜层暴露出所述接触窗的上沿及其周围部分绝缘层；

以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述绝缘层，以形成所述底部延伸孔，远离所述接触窗的所述顶开口。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层为厚度为400-1000nm的多层光刻胶，所述多层光刻胶的上层为黄光层光刻胶。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述接触窗中形成所述后端金属层的步骤包括：

在所述接触窗的侧壁和底壁上形成一层衬垫层；

在所述绝缘层上形成金属材料层，所述金属材料层填充满所述接触窗；以及

研磨所述金属材料层至暴露出所述绝缘层，以在所述接触窗中形成所述后端金属层。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

前端结构，包括一介质层，所述介质层中形成有若干贯穿所述介质层的通道，所述前端结构还包括电容结构，所述介质层上表面不高于所述电容结构的上极板；

渠道沉积物，形成于所述通道中；

刻蚀停止层，形成于由所述电容结构的所述上极板的上表面及所述介质层的上表面组成的整平连续面上；

绝缘层，形成于所述前端结构上，所述绝缘层形成有接触窗，所述接触窗具有底部延伸孔，暴露出所述渠道沉积物的至少部分区域，所述接触窗还暴露出所述电容结构的上极板，所述接触窗的所述底部延伸孔的尺寸小于所述接触窗远离所述渠道沉积物的顶开口尺寸；以及

后端金属层，形成于所述接触窗中。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀停止层包括一层厚度10-100nm的氮化层。

8.如权利要求6或7所述的半导体结构，其特征在于，还包括一层衬垫层，位于所述接触窗的侧壁和底壁上。