[发明专利]具有字符线的半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有字符线的半导体结构及其制作方法，具有字符线的半导体结构包含一基底包含一存储器区和一周边元件区，一第一沟槽和一第二沟槽设置于存储器区，一第三沟槽设置于周边元件区内，第一沟槽的宽度最小，第二沟槽的宽度次之，第三沟槽的宽度最大，一第一氧化硅层设置于第一沟槽的下半部，一氮化硅层填入第二沟槽以及第三沟槽，一第三氧化硅层设置于第三沟槽中，一字符线填入第一沟槽的上半部、覆盖第二沟槽内的氮化硅层，其中在与字符线重叠的第二沟槽内的氮化硅层的上表面不低于与字符线重叠的第一氧化硅层的上表面。

主权项

1.一种具有字符线的半导体结构，包含：基底，包含存储器区和周边元件区；第一沟槽和第二沟槽，设置于该存储器区内的该基底中，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度；第三沟槽，设置于该周边元件区内的该基底中，其中该第二沟槽的宽度小于该第三沟槽的宽度；第一氧化硅层，设置于该第一沟槽的下半部；第二氧化硅层，设置于该第二沟槽的侧壁和该第三沟槽的侧壁；氮化硅层，填入该第二沟槽以及覆盖该第三沟槽的侧壁上的该第二氧化层；第三氧化硅层，设置于该第三沟槽中，其中该第二氧化硅层、该氮化硅层和该第三氧化硅层共同填满该第三沟槽；以及字符线，填入该第一沟槽的上半部、覆盖该第二沟槽内的该氮化硅层以及部分的该存储器区，其中在与该字符线重叠的该第二沟槽内的该氮化硅层的上表面不低于与该字符线重叠的该第一氧化硅层的上表面。