[发明专利]一种有机发光显示屏及其制造方法有效
申请号: | 201710825190.4 | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN109509765B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 杨小龙;蔡世星;邢汝博;林立 | 申请(专利权)人: | 维信诺科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明有机发光显示屏制造方法采用自对准刻蚀方法取代传统的高精度金属掩模板(FMM)蒸镀方式,来形成图形化的各子像素有机发光层。由于各子像素有机发光层分开形成,且形成自对准刻蚀用的掩膜层的光刻胶掩膜层通过光刻工艺形成,其精度远远大于FMM精度,因此掩膜层的精度也远远大于FMM精度,因此本发明制造的有机发光显示屏像素密度显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示屏 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光显示屏的制造方法,其特征在于,包括:S1、在基板上定义n种颜色子像素区域,n为大于1的正整数,并且在基板上表面形成各子像素的阳极层;S2、依次沉积第I子像素有机材料、阴极材料、掩膜材料以覆盖所述阳极层及各阳极层之间的基板,I为[1,n]中任一值;S3、确定出第I子像素阳极层,在所述第I子像素阳极层上方的掩膜材料上形成光刻胶掩膜层;S4、以所述光刻胶掩膜层为掩膜,刻蚀掩膜材料,形成第I子像素掩膜层;S5、以所述第I子像素掩膜层为掩膜,刻蚀所述阴极材料及第I子像素有机材料,形成所述第I子像素阴极层及有机发光层;S6、调整I的值,并返回执行上述步骤S2至S5,直至形成所有子像素的有机发光层;S7、基于以上步骤的结果来加工形成有机发光显示屏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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