[发明专利]一种有机发光显示屏及其制造方法

说明书

本发明有机发光显示屏制造方法采用自对准刻蚀方法取代传统的高精度金属掩模板(FMM)蒸镀方式，来形成图形化的各子像素有机发光层。由于各子像素有机发光层分开形成，且形成自对准刻蚀用的掩膜层的光刻胶掩膜层通过光刻工艺形成，其精度远远大于FMM精度，因此掩膜层的精度也远远大于FMM精度，因此本发明制造的有机发光显示屏像素密度显著提高。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示屏及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示屏越来越普遍，在手机、媒体播放器及小型入门级电视等产品中最为显著。

目前的OLED显示屏体大多通过高精度金属掩模板(FMM)来蒸镀有机材料实现有机发光层图形化，这种方法在像素密度(PPI)低于700时是没有问题的。但是当PPI大于800时，FMM的制造将进入其物理瓶颈，使得这一方式实现800PPI以上高像素密度的显示十分困难。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述问题，提供一种有机发光显示屏的制造方法，改变OLED图形化的实现方式，以制造高像素密度有机发光显示屏。

本发明还提供通过上述制造方法形成的有机发光显示屏。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案，一种有机发光显示屏的制造方法，包括：

S1、在基板上定义n种颜色子像素区域，n为大于1的正整数，并且在基板上表面形成各子像素的阳极层；

S2、依次沉积第I子像素有机材料、阴极材料、掩膜材料以覆盖所述阳极层及各阳极层之间的基板，I为[1，n]中任一值；

S3、确定出第I子像素阳极层，在所述第I子像素阳极层上方的掩膜材料上形成光刻胶掩膜层；

S4、以所述光刻胶掩膜层为掩膜，刻蚀掩膜材料，形成第I子像素掩膜层；

S5、以所述第I子像素掩膜层为掩膜，刻蚀所述阴极材料及第I子像素有机材料，形成所述第I子像素阴极层及有机发光层；

S6、调整I的值，并返回执行上述步骤S2至S5，直至形成所有子像素的有机发光层；

S7、基于以上步骤的结果加工形成有机发光显示屏。

优选地，所述步骤S7包括：

S71、沉积绝缘材料以覆盖基板上表面及形成于基板上方的结构；

S72、形成贯穿所述绝缘材料和各子像素掩膜层的导电孔；并且在所述绝缘材料中形成开槽，所述开槽与所述导电孔连通；

S73、在所述导电孔及所述开槽内填充导电材料，形成阴极连接层；

优选地，所述掩膜材料包括多层，所述多层掩膜材料不同。

优选地，所述掩膜材料包括依次沉积在所述阴极材料上方的第一掩膜材料和第二掩膜材料，所述第一掩膜材料为所述第二掩膜材料的刻蚀阻挡层。

优选地，第一掩膜材料采用干法刻蚀。

优选地，所述第一掩膜材料的厚度小于所述第二掩膜材料的厚度。

优选地，第一掩膜材料为二氧化硅(SiO₂)，所述第二掩膜材料为氧化铝(Al₂O₃)。

优选地，所述掩膜材料还包括沉积在第二掩膜材料上表面的第三掩膜材料。

优选地，所述制造方法的步骤S71包括如下步骤：

S711、沉积第一绝缘材料以覆盖基板上表面及形成于基板上方的结构；