[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201710822147.2 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN107546307B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 林志伟;陈凯轩;李俊贤;卓祥景;汪洋 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田雪姣;王宝筠 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法,包括:衬底、缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层、透明导电层以及第一电极、第二电极和第二保护层;第二掺杂层包括第一平台,第一高掺杂层包括第二平台,第一欧姆接触层包括第三平台,且第一平台、第二平台、及第三平台的表面粗糙度不同;第一电极与第一平台、第二平台、以及第三平台直接接触,第一电极和第二电极通过第二保护层电性隔离。本发明中发光二级管的制作过程简单,降低了芯片的制作成本,并有效的解决了发光二极管电流拥挤的问题。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:衬底,以及依次位于所述衬底表面上的缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层;其中,所述第一掺杂层、所述第一重掺杂层、所述第一欧姆接触层、所述第一高掺杂层、所述第一隔离层、所述第二掺杂层、以及所述第一电流阻挡层的掺杂类型相同,所述第三掺杂层与所述第一掺杂层的掺杂类型不同;所述第二掺杂层包括第一平台,所述第一平台暴露出部分所述第二掺杂层材料;所述第一高掺杂层包括第二平台,所述第二平台暴露出部分所述第一高掺杂层材料;所述第一欧姆接触层包括第三平台,所述第三平台暴露出部分所述第一欧姆接触层材料;并且,所述第一平台、所述第二平台、及所述第三平台的表面粗糙度不同,具体的,所述第一平台的粗糙度大于所述第二平台的粗糙度,所述第二平台的粗糙度大于所述第三平台的粗糙度;与所述第一平台、所述第一隔离层的侧壁、所述第二平台、以及所述第三平台直接接触的第一电极;位于所述第二欧姆接触层表面上的透明导电层;位于所述第二欧姆接触层表面上的第二电极,所述第二电极与所述透明导电层的侧壁直接接触;位于所述第一电极和所述第二掺杂层、所述第一电流阻挡层、所述有源区、所述第二电流阻挡层、所述第三掺杂层、所述第二欧姆接触层、所述透明导电层之间的第二保护层,用于将所述第一电极与所述第二掺杂层、所述第一电流阻挡层、所述有源区、所述第二电流阻挡层、所述第三掺杂层、所述第二欧姆接触层、以及所述透明导电层电性隔离。
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