[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底，以及依次位于所述衬底表面上的缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层；其中，所述第一掺杂层、所述第一重掺杂层、所述第一欧姆接触层、所述第一高掺杂层、所述第一隔离层、所述第二掺杂层、以及所述第一电流阻挡层的掺杂类型相同，所述第三掺杂层与所述第一掺杂层的掺杂类型不同；所述第二掺杂层包括第一平台，所述第一平台暴露出部分所述第二掺杂层材料；所述第一高掺杂层包括第二平台，所述第二平台暴露出部分所述第一高掺杂层材料；所述第一欧姆接触层包括第三平台，所述第三平台暴露出部分所述第一欧姆接触层材料；并且，所述第一平台、所述第二平台、及所述第三平台的表面粗糙度不同，具体的，所述第一平台的粗糙度大于所述第二平台的粗糙度，所述第二平台的粗糙度大于所述第三平台的粗糙度；

与所述第一平台、所述第一隔离层的侧壁、所述第二平台、以及所述第三平台直接接触的第一电极；

位于所述第二欧姆接触层表面上的透明导电层；

位于所述第二欧姆接触层表面上的第二电极，所述第二电极与所述透明导电层的侧壁直接接触；

位于所述第一电极和所述第二掺杂层、所述第一电流阻挡层、所述有源区、所述第二电流阻挡层、所述第三掺杂层、所述第二欧姆接触层、所述透明导电层之间的第二保护层，用于将所述第一电极与所述第二掺杂层、所述第一电流阻挡层、所述有源区、所述第二电流阻挡层、所述第三掺杂层、所述第二欧姆接触层、以及所述透明导电层电性隔离。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二掺杂层还包括第一上表面和第一下表面，所述第一平台低于所述第一上表面，且高于所述第一下表面；所述第一高掺杂层还包括第二上表面和第二下表面，所述第二平台低于所述第二上表面，且高于所述第二下表面；所述第一欧姆接触层包括第三上表面和第三下表面，所述第三平台与所述第三上表面齐平，或者，所述第三平台低于所述第三上表面，且高于所述第三下表面。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一平台与所述第一上表面的高度差小于300nm；所述第二平台与所述第二上表面的高度差小于300nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一平台的表面粗糙度为20nm-50nm以内。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二平台的表面粗糙度小于20nm。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第三平台的表面粗糙度为趋于0。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂层、所述第一重掺杂层、所述第一高掺杂层、以及所述第二掺杂层的材料相同，且所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的浓度相同，所述第一掺杂层、所述第一重掺杂层、以及所述第一高掺杂层的掺杂浓度各不相同。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂层、所述第一重掺杂层、所述第一高掺杂层、以及所述第二掺杂层的材料为N型掺杂的GaN，其中，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂浓度为1*10¹⁷cm^-3～1*10¹⁸cm^-3；所述第一重掺杂层的掺杂浓度为5*10¹⁸cm^-3～1*10¹⁹cm^-3；所述第一高掺杂层的掺杂浓度为1*10¹⁸cm^-3～5*10¹⁸cm^-3。