[发明专利]发光二极管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层、透明导电层以及第一电极、第二电极和第二保护层；第二掺杂层包括第一平台，第一高掺杂层包括第二平台，第一欧姆接触层包括第三平台，且第一平台、第二平台、及第三平台的表面粗糙度不同；第一电极与第一平台、第二平台、以及第三平台直接接触，第一电极和第二电极通过第二保护层电性隔离。本发明中发光二级管的制作过程简单，降低了芯片的制作成本，并有效的解决了发光二极管电流拥挤的问题。

技术领域

本发明涉及发光二极管，更为具体的说，涉及一种发光二极管及其制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。其具有低功耗、尺寸小亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点，作为光源而被广泛应用。

目前的蓝绿发光二极管存在电流拥挤的问题，尤其对于大功率的发光二极管，该问题尤其明显，在很大程度上导致饱和电流下降明显，从而降低了光效。发明人发现，出现电流拥挤的原因在于，蓝绿发光二极管的结构多为在蓝宝石衬底上外延多层氮化镓系的材料结构，而蓝宝石衬底为非导电材料，从而形成的发光二极管的两个电极为水平分布，而水平分布的电极处于同一水平面，从而导致电流拥挤现象，特别是大功率的倒装发光二极管，由于驱动电流大，从而更容易出现电流拥挤现象，导致饱和电流明显下降，进而导致光效明显降低。

现有技术中，为了改善电流拥挤现象，一种方案是设计相互配合的复杂的电极结构，两个电极间采用多道隔离层来隔离电极与外延材料的不必要接触，但是复杂的电极结构，导致制作工艺复杂，并且还牺牲了有源区的面积。另一中方案是采用垂直的芯片结构，但是生产过程中需采用衬底剥离工艺和硅基板键合工艺。以上两种方案均导致芯片的制作成本升高，以及芯片良率降低的问题。

基于此，亟需开发一种能够在确保芯片制作成本不升高的基础上，还能削弱电流拥挤效应的发光二极管。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管结构简单，相较于现有技术，降低了芯片的制作成本，并有效的解决了发光二极管电流拥挤的问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种发光二极管，包括：

衬底，以及依次位于所述衬底表面上的缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层；其中，所述第一掺杂层、所述第一重掺杂层、所述第一欧姆接触层、所述第一高掺杂层、所述第一隔离层、所述第二掺杂层、以及所述第一电流阻挡层的掺杂类型相同，所述第三掺杂层与所述第一掺杂层的掺杂类型不同；所述第二掺杂层包括第一平台，所述第一平台暴露出部分所述第二掺杂层材料；所述第一高掺杂层包括第二平台，所述第二平台暴露出部分所述第一高掺杂层材料；所述第一欧姆接触层包括第三平台，所述第三平台暴露出部分所述第一欧姆接触层材料；并且，所述第一平台、所述第二平台、及所述第三平台的表面粗糙度不同；

与所述第一平台、所述第一隔离层的侧壁、所述第二平台、以及所述第三平台直接接触的第一电极；

位于所述第二欧姆接触层表面上的透明导电层；

位于所述第二欧姆接触层表面上的第二电极，所述第二电极与所述透明导电层的侧壁直接接触；