[发明专利]一种改善LED外延片表面形貌的方法在审
| 申请号： | 201710817104.5 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107808909A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 白航空 | 申请（专利权）人： | 合肥惠科金扬科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改善LED外延片表面形貌的方法，所述生长方法包括在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，所述缓冲层为不同生长温度梯度下的GaN叠层，且生长温度依次升高。本发明采用不同生长温度梯度下的GaN叠层作为缓冲层，可以有效的避免高温退火时产生的表面不平整，在异质外延结构中更好的起到减少衬底与GaN材料之间的晶格失配以及由此产生的应力，得到的外延片表面平整、均匀性好，缺陷少，同时光电参数均匀性也好于单层缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 led 外延 表面 形貌 方法 | ||
【主权项】：
一种改善LED外延片表面形貌的方法，所述生长方法包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述缓冲层为不同生长温度梯度下的GaN叠层，且生长温度依次升高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥惠科金扬科技有限公司，未经合肥惠科金扬科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710817104.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于太阳能发电系统的光伏组件
- 下一篇：一种LED外延结构的制备方法
