[发明专利]一种改善LED外延片表面形貌的方法

权利要求书

1.一种改善LED外延片表面形貌的方法，所述生长方法包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述缓冲层为不同生长温度梯度下的GaN叠层，且生长温度依次升高。

2.根据权利要求1所述的一种改善LED外延片表面形貌的方法，其特征在于：所述不同生长温度梯度下相邻温度相差20-50℃。

3.根据权利要求1所述的一种改善LED外延片表面形貌的方法，其特征在于：所述GaN叠层包括2-10个GaN缓冲层。

4.根据权利要求3所述的一种改善LED外延片表面形貌的方法，其特征在于：所述GaN叠层包括两个GaN缓冲层，分别为第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层，所述第一GaN缓冲层与第二GaN缓冲层生长气氛相同，均为由N2、H2和NH3构成的氛围，均采用三甲基镓作为镓源，第一GaN缓冲层三甲基镓流量为40-100sccm，第二GaN缓冲层三甲基镓流量为100-200sccm，第一GaN缓冲层生长温度为500-600℃，第二GaN缓冲层生长温度为600-650℃。

5.根据权利要求3所述的一种改善LED外延片表面形貌的方法，其特征在于：所述GaN叠层包括三个GaN缓冲层，分别为第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层，所述第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层与第三GaN缓冲层生长气氛相同，均为由N2、H2和NH3构成的氛围，均采用三甲基镓作为镓源，第一GaN缓冲层三甲基镓流量为40-100sccm，第二GaN缓冲层三甲基镓流量为100-200sccm，第三GaN缓冲层三甲基镓流量为100-200sccm，第一GaN缓冲层生长温度为500-600℃，第二GaN缓冲层生长温度为600-650℃，第三GaN缓冲层生长温度为650-700℃。

6.根据权利要求3所述的一种改善LED外延片表面形貌的方法，其特征在于：所述GaN叠层包括四个GaN缓冲层，分别为第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层，所述第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层生长气氛相同，均为由N2、H2和NH3构成的氛围，均采用三甲基镓作为镓源，第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层三甲基镓流量分别为40-100sccm、100-200sccm、100-200sccm、100-200sccm，第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层生长温度分为500-600℃、600-650℃、650-750℃、750-800℃。

7.根据权利要求3所述的一种改善LED外延片表面形貌的方法，其特征在于：所述GaN叠层包括十个GaN缓冲层，分别为第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层...第十GaN缓冲层，第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层...第十GaN缓冲层生长气氛相同，均为由N2、H2和NH3构成的氛围，均采用三甲基镓作为镓源，第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层...第十GaN缓冲层三甲基镓流量分别为40-100sccm、100-200sccm、100-200sccm、100-200sccm...100-200sccm，第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、第三GaN缓冲层、第四GaN缓冲层...第十GaN缓冲层生长温度分为500-600℃、600-650℃、650-750℃、750-800℃...1000-1050℃。

8.根据权利要求1至7任一所述的一种改善LED外延片表面形貌的方法，其特征在于：所述GaN叠层中至少其中之一掺杂铝。