[发明专利]制造磁存储器件的方法有效
| 申请号： | 201710794979.8 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107968150B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 朴正熏;孙明秀;徐辅永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造磁存储器件的方法。制造磁存储器件的该方法包括：在衬底上形成层间电介质层；在层间电介质层中形成牺牲图案；在牺牲图案上形成磁隧道结图案；在形成磁隧道结图案之后，选择性地去除牺牲图案以在层间电介质层中形成底接触区；以及在底接触区中形成底接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 磁存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成层间电介质层；在所述层间电介质层中形成牺牲图案；在所述牺牲图案上形成磁隧道结图案；在形成所述磁隧道结图案之后，选择性地去除所述牺牲图案以在所述层间电介质层中形成底接触区；以及在所述底接触区中形成底接触。
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