[发明专利]制造磁存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成层间电介质层；

在所述层间电介质层中形成牺牲图案；

在所述牺牲图案上形成磁隧道结图案；

在形成所述磁隧道结图案之后，选择性地去除所述牺牲图案以在所述层间电介质层中形成底接触区；以及

在所述底接触区中形成底接触，

其中形成所述磁隧道结图案包括：

在所述层间电介质层和所述牺牲图案上形成磁隧道结层；以及

图案化所述磁隧道结层，

其中所述牺牲图案通过所述磁隧道结层的所述图案化被部分地暴露，所述牺牲图案包括绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在选择性地去除所述牺牲图案之前，形成覆盖所述磁隧道结图案的盖图案，

其中所述盖图案部分地暴露所述牺牲图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，当在俯视图中被观察时，所述磁隧道结图案的一部分交叠所述牺牲图案，所述磁隧道结图案的另一部分交叠所述层间电介质层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲图案相对于所述层间电介质层具有蚀刻选择性。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述层间电介质层包括硅氧化物，所述牺牲图案包括硅氮化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述层间电介质层包括硅氮化物，所述牺牲图案包括硅氧化物。

7.一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：

提供包括沿着第一方向彼此相邻的第一区和第二区的衬底；

在所述衬底上形成第一层间电介质层；

在所述第一层间电介质层中形成牺牲图案，所述牺牲图案沿着所述第一方向从所述第一区延伸到所述第二区上；

在所述第一区上的所述牺牲图案上形成磁隧道结图案，所述磁隧道结图案沿着所述第一方向布置；

在形成所述磁隧道结图案之后，选择性地去除所述牺牲图案以在所述第一区上的所述第一层间电介质层中形成底接触区；以及

形成填充所述底接触区的初始底接触，

其中形成所述磁隧道结图案包括：

在所述第一层间电介质层和所述牺牲图案上形成磁隧道结层；以及

图案化所述磁隧道结层，

其中所述牺牲图案通过所述磁隧道结层的所述图案化被部分地暴露，所述牺牲图案包括绝缘材料。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在选择性地去除所述牺牲图案之前，形成覆盖所述磁隧道结图案的盖图案，

其中，当在俯视图中被观察时，所述盖图案暴露所述第二区上的所述牺牲图案。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括图案化所述初始底接触以形成在所述第一方向上彼此间隔开的底接触。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述初始底接触的所述图案化将所述盖图案分隔成在所述第一方向上彼此间隔开的子盖图案。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括图案化所述初始底接触以形成在所述第一方向上彼此间隔开的底接触，

其中所述底接触的每个电连接到所述磁隧道结图案中的其对应的磁隧道结图案。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括形成覆盖所述磁隧道结图案的第二层间电介质层，

其中空气间隙在所述底接触之间以及在所述第二层间电介质层下面形成。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，当在俯视图中被观察时，所述磁隧道结图案的每个的一部分交叠所述牺牲图案，所述磁隧道结图案的每个的另一部分交叠所述第一层间电介质层。