[发明专利]制造磁存储器件的方法

说明书

公开了一种制造磁存储器件的方法。制造磁存储器件的该方法包括：在衬底上形成层间电介质层；在层间电介质层中形成牺牲图案；在牺牲图案上形成磁隧道结图案；在形成磁隧道结图案之后，选择性地去除牺牲图案以在层间电介质层中形成底接触区；以及在底接触区中形成底接触。

技术领域

本公开涉及制造磁存储器件的方法，更具体地，涉及制造包括磁隧道结图案的磁存储器件的方法。

背景技术

随着电子设备趋向于高速度和低功耗，对具有高速读/写操作和低操作电压特性的半导体存储器件的需求正在增加。为了满足这些要求，磁存储器件已经作为半导体存储器件被提出。因为磁存储器件可以以高速度运行并且具有非易失性的特性，所以它们作为下一代存储器件的受欢迎度正在增加。

磁存储器件是使用磁隧道结(MTJ)的存储器件。磁隧道结可以包括两个磁层和插置于其间的绝缘层，并且磁隧道结的电阻可以取决于两个磁层的磁化方向而变化。具体地，磁隧道结可以在两个磁层的磁化方向彼此反平行时具有相对高的电阻，并且可以在两个磁层的磁化方向彼此平行时具有相对低的电阻。磁存储器件可以使用磁隧道结的电阻差来写/读数据。

特别地，自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)器件由于它的写入电流随着磁单元的尺寸的减小而减小的特性正变得受欢迎。

发明内容

本公开的实施方式提供制造具有提高的可靠性的磁存储器件的方法。

本公开的目的不限于上述目的，以上未提及的另外的目的将由下面的描述被本领域技术人员清楚地理解。

根据本公开的示例性实施方式，一种制造磁存储器件的方法可以包括：在衬底上形成层间电介质层；在层间电介质层中形成牺牲图案；在牺牲图案上形成磁隧道结图案；在形成磁隧道结图案之后，选择性地去除牺牲图案以在层间电介质层中形成底接触区；以及在底接触区中形成底接触。

根据本公开的示例性实施方式，一种制造磁存储器件的方法可以包括：提供包括沿着第一方向彼此相邻的第一区和第二区的衬底；在衬底上形成第一层间电介质层；在第一层间电介质层中形成牺牲图案，牺牲图案沿着第一方向从第一区延伸到第二区上；在第一区上的牺牲图案上形成磁隧道结图案，磁隧道结图案沿着第一方向布置；在形成磁隧道结图案之后，去除牺牲图案以在第一区上的第一层间电介质层中形成底接触区；以及形成填充底接触区的底接触。

根据本公开的示例性实施方式，一种制造磁存储器件的方法可以包括：提供包括沿着第一方向彼此相邻的第一区和第二区的衬底；在衬底上形成第一层间电介质层；在第一层间电介质层中形成牺牲图案，牺牲图案沿着第一方向从第一区延伸到第二区上；在第一区上的牺牲图案上形成磁结构；在形成磁结构之后，选择性地去除牺牲图案以在第一区上的第一层间电介质层中形成底接触区；以及形成填充底接触区的底接触。

附图说明

图1是示出根据本公开的示例性实施方式的制造磁存储器件的方法的流程图。

图2A至12A是示出根据本公开的示例性实施方式的制造磁存储器件的方法的俯视图。

图2B至12B分别是沿图2A至12A的线I-I'截取的剖视图。

图2C至12C分别是沿图2A至12A的线II-II'截取的剖视图。

图4D是图4B中所示的部分A的放大图。

图4E是图4C中所示的部分B的放大图。

图13A和14A是示出根据本公开的示例性实施方式的制造磁存储器件的方法的俯视图。

图13B和14B分别是沿图13A和14A的线I-I'截取的剖视图。

图13C和14C分别是沿图13A和14A的线II-II'截取的剖视图。