[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 201710790286.1 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107818927B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 植木达博;张健 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动的技术。基板处理装置(1)向旋转的基板(W)的周缘部赋予处理液。基板处理装置(1)具备旋转保持部(21)、处理液喷出部(73)、变动幅度获取部以及喷出控制部(7)。旋转保持部(21)保持基板(W)而使基板(W)旋转。处理液喷出部(73)向被旋转保持部(21)保持着的基板(W)的周缘部喷出处理液。变动幅度获取部获取与基板(W)的周缘部的变形量的变动幅度有关的信息。喷出控制部(7)根据由变动幅度获取部获取的与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自处理液喷出部(73)的处理液相对于周缘部的喷出角度和喷出位置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，向旋转的基板的周缘部赋予处理液，其具备：旋转保持部，其保持所述基板并使所述基板旋转；处理液喷出部，其朝向被所述旋转保持部保持着的所述基板的所述周缘部喷出所述处理液；变动幅度获取部，其获取与所述周缘部的变形量的变动幅度有关的信息；喷出控制部，其根据由所述变动幅度获取部获取的与所述周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自所述处理液喷出部的所述处理液相对于所述周缘部的喷出角度和喷出位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
