[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 201710790286.1 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107818927B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 植木达博;张健 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动的技术。基板处理装置(1)向旋转的基板(W)的周缘部赋予处理液。基板处理装置(1)具备旋转保持部(21)、处理液喷出部(73)、变动幅度获取部以及喷出控制部(7)。旋转保持部(21)保持基板(W)而使基板(W)旋转。处理液喷出部(73)向被旋转保持部(21)保持着的基板(W)的周缘部喷出处理液。变动幅度获取部获取与基板(W)的周缘部的变形量的变动幅度有关的信息。喷出控制部(7)根据由变动幅度获取部获取的与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自处理液喷出部(73)的处理液相对于周缘部的喷出角度和喷出位置。
技术领域
本发明涉及向基板的周缘部赋予处理液的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体器件的制造装置中，使半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)等基板以保持水平的状态绕铅垂轴线旋转，向该基板的周缘部赋予化学溶液等处理液，从而存在于该周缘部的抗蚀剂膜、污染物以及氧化膜等被去除。该去除处理也被称为斜切(日文：べベルカット)处理，期望的是在基板的整周上以所期望的切割宽度精度良好地进行去除处理。
在例如专利文献1所公开的液处理装置中，拍摄基板的周缘部，根据其拍摄结果求出周缘部的膜的去除宽度，进行去除宽度是否恰当的判断。在该液处理装置中，还算出基板保持部的旋转中心与基板的中心之间的偏离量，在使绕铅垂轴线的旋转中心与基板的中心一致的状态下由基板保持部保持基板。
另一方面，基板的处理面通常具有平坦的形状，但实际上，因环境主要原因等而具有稍微的起伏，有时在厚度方向上以例如十分之一毫米的单位变动。特别是基板的周缘部强烈地受到基板的翘曲的影响，厚度方向上的表面位置易于波动。
在向相对于基板倾斜的方向喷出处理液的情况下，基板上的处理液的到达位置根据基板的厚度方向上的表面位置而变动。因而，在沿着倾斜方向向表面位置不恒定的基板的周缘部喷出处理液的情况下，周缘部处的处理液的到达位置波动，斜切处理中的切割宽度也不恒定。
因此，期望提出一种新的斜切处理，即使是基板的周缘部的表面位置不恒定的情况下，也能够抑制处理液的到达位置的波动而使切割宽度均匀化。
专利文献1：日本特开2013-168429号公报
发明内容
本发明提供一种能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动。
本发明的一形态涉及一种基板处理装置，其向旋转的基板的周缘部赋予处理液，该基板处理装置具备：旋转保持部，其保持基板并使该基板旋转；处理液喷出部，其朝向被旋转保持部保持着的基板的周缘部喷出处理液；变动幅度获取部，其获取与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息；喷出控制部，其根据由变动幅度获取部获取的与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自处理液喷出部的处理液相对于周缘部的喷出角度和喷出位置。
本发明的另一形态涉及基板处理方法，其是从处理液喷出部朝向旋转的基板的周缘部喷出处理液的基板处理方法，该基板处理方法包括：获取与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息的工序；根据与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自处理液喷出部的处理液相对于周缘部的喷出角度和喷出位置的工序。
根据本发明，能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动。
附图说明
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
