[发明专利]垂直半导体装置有效
| 申请号： | 201710779508.X | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN108231786B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 朴照英;姜昌锡;李昌燮;张世美 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种垂直半导体装置。垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖多个层间绝缘层图案和多个导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，所述多个导电层图案中的至少第一导电层图案被构造为从相邻的层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从第一导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖所述多个层间绝缘层图案和所述多个导电层图案；以及接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与第一导电层图案的凸起焊盘部分接触。
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