[发明专利]垂直半导体装置

说明书

提供了一种垂直半导体装置。垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖多个层间绝缘层图案和多个导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。

本申请要求于2016年12月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0170416号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种垂直半导体装置。

背景技术

在与基底的表面垂直的方向上堆叠有存储器单元的垂直半导体装置可以包括连接布线，连接布线通过使包括在每个存储器单元中的导电层图案与接触插塞接触来形成，使得电信号独立地施加到每个存储器单元。因为半导体装置已经变得高度集成，所以难以在每个垂直地堆叠的导电层图案上与接触插塞形成连接布线。

发明内容

本公开提供了一种能够容易地在每个垂直地堆叠的导电层图案上与接触插塞形成连接布线的垂直半导体装置。

根据这里描述的主题的示例实施例的一方面，提供了一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在多个层间绝缘层图案之间，并且每个导电层图案具有倒圆的端部，其中，多个导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸出并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖层间绝缘层图案和导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。

根据另一示例实施例，提供了一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：垂直结构，被构造为位于单元块区的基底上在垂直方向上突出并且包括沟道层；多个导电层图案，被构造为在围绕垂直结构的同时延伸到连接区中，并且在垂直方向上通过层间绝缘层图案彼此间隔开的同时被堆叠；多个接触插塞，每个接触插塞与作为每层的导电层图案的边缘的焊盘区接触，其中，每个导电层图案的一端被倒圆，焊盘区包括从每个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分。

根据另一示例实施例，提供了一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个导电层图案，在基底上以垂直结构堆叠，并在垂直方向上通过层间绝缘层图案彼此间隔开；多个接触插塞，每个接触插塞与相应的导电层图案的边缘处的焊盘区接触，其中，每个相应的导电层图案的一端被倒圆。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述将更清楚地理解示例实施例，在附图中：

图1是根据示例实施例的垂直半导体装置的存储器单元阵列的等效电路图；

图2是根据示例实施例的垂直半导体装置的框图；

图3是根据示例实施例的垂直半导体装置的平面图；

图4A至图4C是图3的单元阵列区中的单元块区和连接区的布置的平面图；

图5是根据示例实施例的垂直半导体装置的连接区的局部剖视图；

图6A至图6F是示出制造图5的垂直半导体装置的连接区的方法的局部剖视图；

图7是根据示例实施例的垂直半导体装置的连接区的局部剖视图；

图8是根据示例实施例的垂直半导体装置的连接区的局部剖视图；

图9A至图9G是示出制造图7的垂直半导体装置的连接区的方法的局部剖视图；