[发明专利]垂直半导体装置

权利要求书

1.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：

多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在竖直方向上堆叠；

多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间，其中，所述多个导电层图案中的第一导电层图案被构造为从相邻的层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从第一导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；

上层间绝缘层，覆盖所述多个层间绝缘层图案和所述多个导电层图案；以及

接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与第一导电层图案的凸起焊盘部分接触，

其中，凸起焊盘部分的第一端和凸起焊盘部分的与第一端相对的第二端被倒圆。

2.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，

与形成在第一导电层图案下面的相邻的层间绝缘层图案相比，凸起焊盘部分的第二端在第一导电层图案延伸所沿的水平方向上延伸较远，凸起焊盘部分被构造为从俯视图中占据被第二导电层图案暴露的整个部分，第二导电层图案形成为与第一导电层图案相邻且位于第一导电层图案上方。

3.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，

所述多个层间绝缘层图案中的一些包括从各个相邻的导电层图案的一端凹陷的凹部。

4.根据权利要求3所述的垂直半导体装置，其中，

每个凹部填充有上层间绝缘层。

5.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，

随着导电层图案在竖直方向上距基底越远，从垂直结构到导电层图案的端部的水平距离变得越小。

6.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，第一导电层图案的形成在焊盘区下面的一端被倒圆。

7.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，

凸起焊盘部分的第二端在第一导电层图案延伸所沿的水平方向上与凸起焊盘部分的第一端分离。

8.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：

垂直结构，位于单元块区的基底上在竖直方向上突出并且包括沟道层；

多个导电层图案，在竖直方向上通过层间绝缘层图案彼此间隔开的同时被堆叠；以及

接触插塞，与位于所述多个导电层图案中的第一导电层图案的边缘处的焊盘区接触，其中，

导电层图案的一端被倒圆，焊盘区包括从第一导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分，

其中，层间绝缘层图案中的第一层间绝缘层图案还包括从相邻的导电层图案的侧壁凹陷的凹部。

9.根据权利要求8所述的垂直半导体装置，其中，

所述多个导电层图案是字线、串选择线或地选择线。

10.根据权利要求8所述的垂直半导体装置，其中，

凸起焊盘部分的一端和另一端被倒圆。

11.根据权利要求8所述的垂直半导体装置，其中，

导电层图案具有阶梯的形式，其中，随着导电层图案在竖直方向上距基底越远，从垂直结构到导电层图案的端部的水平距离变得越小。

12.根据权利要求8所述的垂直半导体装置，其中，

第一导电层图案的形成在焊盘区下面的一端被倒圆。

13.根据权利要求10所述的垂直半导体装置，其中，

凸起焊盘部分包括第一端和与第一端相对的第二端，凸起焊盘部分的第二端在第一导电层图案延伸所沿的水平方向上与凸起焊盘部分的第一端分离。