[发明专利]一种碳化硅器件终端及其制作方法在审
| 申请号： | 201710774025.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507859A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 田晓丽;白云;杨成樾;汤益丹;陈宏;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅器件终端的制作方法，包括步骤一、在N+‑SiC衬底上生长N‑‑SiC外延层；步骤二、在N‑‑SiC外延层中制备P‑‑SiC JTE区和N型截止环，其中P‑‑SiC JTE区刻蚀有淀积第一钝化层的浅凹槽，N型截止环位于器件终端外缘；步骤三在N‑‑SiC外延层表面制备叠层结构，包括叠放顺序从下依次向上的第二钝化层、多晶硅场板、第三钝化层和金属场板，多晶硅场板和金属场板覆盖P‑‑SiC JTE区以及P‑‑SiC JTE区与N型截止环之间的部分区域，金属场板在远离N型截止环一侧的部分区域直接位于多晶硅场板上，在靠近N型截止环一侧向器件终端外缘方向伸出多晶硅场板。本发明还提供一种碳化硅器件终端。本发明能够提高器件耐电荷性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 终端 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅器件终端的制作方法，其特征在于，包括：步骤一：提供N+‑SiC衬底，在N+‑SiC衬底上生长N‑‑SiC外延层；步骤二：在所述N‑‑SiC外延层中制备P‑‑SiC JTE区和N型截止环，其中，所述P‑‑SiC JTE区内刻蚀有浅凹槽并在所述浅凹槽内淀积第一钝化层，所述N型截止环位于所述器件终端的外缘；步骤三：在所述N‑‑SiC外延层表面制备叠层结构，所述叠层结构包括叠放顺序从下依次向上的第二钝化层、多晶硅场板、第三钝化层和金属场板，所述多晶硅场板和金属场板覆盖所述P‑‑SiC JTE区以及所述P‑‑SiC JTE区与N型截止环之间的部分区域，所述金属场板在远离所述N型截止环一侧的部分区域直接位于所述多晶硅场板之上，在靠近所述N型截止环一侧向所述器件终端外缘方向伸出所述多晶硅场板。
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