[发明专利]一种碳化硅器件终端及其制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅器件终端的制作方法，其特征在于，包括：

步骤一：提供N⁺-SiC衬底，在N⁺-SiC衬底上生长N^--SiC外延层；

步骤二：在所述N^--SiC外延层中制备P^--SiC JTE区和N型截止环，其中，所述P^--SiC JTE区内刻蚀有浅凹槽并在所述浅凹槽内淀积第一钝化层，所述N型截止环位于所述器件终端的外缘；

步骤三：在所述N^--SiC外延层表面制备叠层结构，所述叠层结构包括叠放顺序从下依次向上的第二钝化层、多晶硅场板、第三钝化层和金属场板，所述多晶硅场板和金属场板覆盖所述P^--SiC JTE区以及所述P^--SiC JTE区与N型截止环之间的部分区域，所述金属场板在远离所述N型截止环一侧的部分区域直接位于所述多晶硅场板之上，在靠近所述N型截止环一侧向所述器件终端外缘方向伸出所述多晶硅场板。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述N^--SiC外延层通过CVD生长所述N^--SiC外延层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤二还包括：通过Al离子注入和N离子注入分别形成所述P^--SiC JTE区的注入区和所述N型场限环的注入区，在惰性气体氛围中激活退火后获得所述P^--SiC JTE区和N型场限环。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述P^--SiC JTE区内的浅凹槽的深度小于所述P^--SiC JTE区的结深，数量大于等于2个。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述P^--SiC JTE区内的浅凹槽呈等间距或不等间距分布。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层通过热氧化和/或PECVD淀积在所述浅凹槽内。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤三还包括：通过热氧化和/或PECVD工艺在所述N^--SiC外延层上淀积所述第二钝化层，通过LPCVD和光刻工艺在部分所述P^--SiC JTE区及第二钝化层上形成所述多晶硅场板。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤三还包括：通过采用热氧化和/或PECVD工艺在所述多晶硅场板及第二钝化层上再次淀积所述第三钝化层，通过溅射或蒸发工艺在部分所述多晶硅场板及所述第三钝化层上形成所述金属场板。

9.根据权利要求6至8中任一权利要求所述的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层、第二钝化层和/或第三钝化层的材料为SiO₂或Si₃N₄。

10.一种根据权利要求1所述的方法制作的碳化硅器件终端，其特征在于，包括：

N⁺-SiC衬底；

所述N⁺-SiC衬底上的N^--SiC外延层，所述N^--SiC外延层内具有P^--SiC JTE区和N型截止环，其中所述P^--SiC JTE区内刻蚀有浅凹槽且所述浅凹槽内具有第一钝化层，所述N型截止环位于所述器件终端的外缘；

位于所述N^--SiC外延层上且覆盖所述器件终端表面的叠层结构，所述叠层结构包括叠放顺序从下依次向上的第二钝化层、多晶硅场板、第三钝化层和金属场板，所述多晶硅场板和金属场板覆盖所述P^--SiC JTE区以及所述P^--SiC JTE区与N型截止环之间的部分区域，所述金属场板在远离所述N型截止环一侧的部分区域直接位于所述多晶硅场板之上，在靠近所述N型截止环一侧向所述器件终端外缘方向伸出所述多晶硅场板。