[发明专利]功率半导体单管的封装方法在审

专利信息
申请号: 201710772908.8 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN107611108A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 周宏伟;刘鹏飞;闫宏丽;徐西昌 申请(专利权)人: 西安龙腾新能源科技发展有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L21/48;H01L21/331
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 代理人: 李罡
地址: 710021 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及功率半导体单管的封装方法,先按照正常流程完成单管封装;单管背后涂一层导热膏,这层导热膏要把背面金属全部覆盖,以保证绝缘性,涂覆厚度必须均匀;导热膏必须具有耐磨,高绝缘性,高热导性特点。此封装形式单管在安装时候,可以直接固定到散热器上,简便快捷,并且降低了整体的热阻,使单管工作得更加稳定。本发明是在芯片完成打标测试之后,在单管的背面,涂覆聚合物导热膏,增加此层导热膏的目的,是使单管安装时,只需将管子直接固定到散热器上,省去了单管在安装过程中,涂覆导热硅脂和安装绝缘垫片的麻烦,提高了生产效率,降低了管子的热阻,提高了应用系统的稳定性。
搜索关键词: 功率 半导体 封装 方法
【主权项】:
功率半导体单管的封装方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:按照正常流程完成封装单管的正常封装;步骤二:单管背面金属层涂一层导热膏,这层导热膏要把背面金属全部覆盖,以保证绝缘性,涂覆厚度必须均匀;步骤三:将封装单管直接固定到散热器上,完成安装。
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