[发明专利]功率半导体单管的封装方法在审
| 申请号： | 201710772908.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611108A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;刘鹏飞;闫宏丽;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/48;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.功率半导体单管的封装方法，其特征在于：
包括以下步骤：
步骤一：按照正常流程完成封装单管的正常封装；
步骤二：单管背面金属层涂一层导热膏，这层导热膏要把背面金属全部覆盖，以保证绝缘性，涂覆厚度必须均匀；
步骤三：将封装单管直接固定到散热器上，完成安装。
2.根据权利要求1所述的功率半导体单管的封装方法，其特征在于：
步骤二中，导热膏的涂覆采用钢网形式完成。
3.根据权利要求1所述的功率半导体单管的封装方法，其特征在于：
步骤二中，导热膏采用整块涂覆的方式。
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