[发明专利]一种3D NAND器件的形成方法

摘要

本发明提供一种3D NAND器件的形成方法，在沟道孔中形成氧化硅填充层时，至少在沟道孔底部的氧化硅填充层中掺杂P型离子，在后续的高温工艺中，氧化硅层中的P型离子扩散至外延层中，起到调节源线选择管的阈值电压的作用。该方法中，通过氧化硅填充层的P型掺杂离子的扩散，来实现外延层的掺杂，可以有效提高掺杂的均匀性，提高源线选择管的器件性能，同时，避免离子注入工艺，避免了离子注入带来的损伤，降低制造成本，提高器件性能。

主权项

1.一种3D NAND器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，沟道孔的底部形成有外延层，沟道孔侧壁上形成有电荷捕获层，所述电荷捕获层以及外延层上形成有沟道层；在沟道孔中形成氧化硅填充层，至少沟道孔底部的氧化硅填充层中掺杂有P型离子；进行高温工艺，使得氧化硅填充层中的P型离子扩散至外延层中。