[发明专利]一种3D NAND器件的形成方法有效
| 申请号： | 201710772383.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611134B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 靳磊;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 器件 形成 方法 | ||
1.一种3D NAND器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，沟道孔的底部形成有外延层，沟道孔侧壁上形成有电荷捕获层，所述电荷捕获层以及外延层上形成有沟道层；
在沟道孔中形成氧化硅填充层，至少沟道孔底部的氧化硅填充层中掺杂有P型离子；
进行高温工艺，使得氧化硅填充层中的P型离子扩散至外延层中。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，氧化硅填充层中掺杂P型离子的方法包括：
采用化学气相沉积的方法形成氧化硅填充层的同时，通入含P型离子的掺杂气体，以使得氧化硅填充层中掺杂有P型离子。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成氧化硅填充层的反应气体包括硅烷、氧化氮和氮气，通入的掺杂气体为乙硼烷。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述P型离子为硼离子。
5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述高温工艺的温度范围为700℃～800℃，高温工艺的时间范围为70-90min。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的形成方法，其特征在于，在沟道孔中形成氧化硅填充层之后，还包括：
去除堆叠层中的牺牲层；
进行热氧化工艺，在外延层的侧壁上形成栅氧化物层，所述热氧化工艺同时为使得氧化硅填充层中的P型离子扩散至外延层中的高温工艺。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的形成方法，其特征在于，所述高温工艺为热退火工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
