[发明专利]具有纳米线的半导体器件及制造其的方法

摘要

一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；第一纳米线，其在第一方向上延伸并在所述第一区域中与所述衬底间隔开；第二纳米线，其在第二方向上延伸并在所述第二区域中与所述衬底间隔开；第一栅极绝缘层，其沿着所述第一纳米线的周界；第二栅极绝缘层，其沿着所述第二纳米线的周界；第一金属层，其沿着所述第一纳米线的所述周界在所述第一栅极绝缘层的顶表面上，所述第一金属层具有第一晶粒尺寸；以及第二金属层，其沿着所述第二纳米线的所述周界在所述第二栅极绝缘层的顶表面上，所述第二金属层具有不同于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。