[发明专利]半导体存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710762424.5 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109427808B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 廖政华;柯宗杰;谢荣裕;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体存储元件，包括基底、多个第一隔离结构以及多个第二隔离结构。基底包括周边区与阵列区。第一隔离结构位于周边区的基底中。第二隔离结构位于阵列区的基底中。第一隔离结构的材料与第二隔离结构的材料不同。各第一隔离结构的宽度大于各第二隔离结构的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储元件，包括：基底，包括周边区与阵列区；多个第一隔离结构，位于所述周边区的所述基底中；以及多个第二隔离结构，位于所述阵列区的所述基底中，其中所述第一隔离结构的材料与所述第二隔离结构的材料不同，且各所述第一隔离结构的宽度大于各所述第二隔离结构的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
